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PartsPlan AIPartsPlan AI
STMicroelectronics STGW39NC60VD
수집 데이터igbt

STMicroelectronics

STGW39NC60VD

igbt

STGW39NC60VD부터 회로 전체까지, AI에게 물어보세요

Claude·ChatGPT 같은 AI에 PartsPlan을 한 번 연결하면, 이 부품만이 아니라 BOM·회로도에 든 부품 전부를 제조사 데이터시트 원문에서 찾아 문서와 쪽 번호까지 답합니다.

예: “PartsPlan으로 내 BOM 전체 데이터시트를 확인하고, STGW39NC60VD의 정격과 패키지 치수는 근거 쪽과 함께 알려 줘”

무료 월 300회 · 카드 등록 없음

주요 스펙 요약(16)

Collector Emitter Breakdown Voltage Vces
600V
Gate Charge Qg
126nC
Gate Emitter Threshold Voltage Vge Th Ic
3.75V@1mA
Igbt Type
-
Input Capacitance Cies
-
Operating Temperature
-55℃~+150℃@(Tj)
Output Capacitance Coes
2900pF
package
TO-247
Pd Power Dissipation
250W
Pulsed Current Forward Ifm
120A
Reverse Recovery Time Trr
45ns
Reverse Transfer Capacitance Cres
298pF
Switching Energy Eoff
537uJ
Td Off
178ns
Td On
33ns
Turn On Energy Eon
333uJ

이 데이터시트의 항목별 쪽

로그인하면 항목마다 원문 PDF 쪽 번호가 보입니다. 로그인

특징
쪽 1개
절대 최대 정격
쪽 1개
전기적 특성
쪽 3개
열 특성
쪽 1개
패키지 도면
쪽 1개
STMicroelectronics 데이터시트 · 총 15쪽 · 절 27 · 표 10 · 그림 23전체 항목·쪽은 MCP 로 →