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PartsPlan AIPartsPlan AI
STMicroelectronics STGD4M65DF2
수집 데이터igbt

STMicroelectronics

STGD4M65DF2

igbt

STGD4M65DF2부터 회로 전체까지, AI에게 물어보세요

Claude·ChatGPT 같은 AI에 PartsPlan을 한 번 연결하면, 이 부품만이 아니라 BOM·회로도에 든 부품 전부를 제조사 데이터시트 원문에서 찾아 문서와 쪽 번호까지 답합니다.

예: “PartsPlan으로 내 BOM 전체 데이터시트를 확인하고, STGD4M65DF2의 정격과 패키지 치수는 근거 쪽과 함께 알려 줘”

무료 월 300회 · 카드 등록 없음

주요 스펙 요약(15)

Collector Emitter Breakdown Voltage Vces
650V
Gate Charge Qg
15.2nC
Gate Emitter Threshold Voltage Vge Th Ic
5V@250uA
Igbt Type
FS (Field Stop)
Input Capacitance Cies
369pF
Operating Temperature
-55℃~+175℃@(Tj)
Output Capacitance Coes
24.8pF
package
DPAK
Pd Power Dissipation
68W
Reverse Recovery Time Trr
133ns
Reverse Transfer Capacitance Cres
8pF
Switching Energy Eoff
136uJ
Td Off
86ns
Td On
12ns
Turn On Energy Eon
40uJ

이 데이터시트의 항목별 쪽

로그인하면 항목마다 원문 PDF 쪽 번호가 보입니다. 로그인

특징
쪽 1개
절대 최대 정격
쪽 1개
전기적 특성
쪽 1개
열 특성
쪽 1개
타이밍
쪽 1개
패키지 도면
쪽 3개
랜드 패턴
쪽 1개
STMicroelectronics 데이터시트 · 총 19쪽 · 절 30 · 표 10 · 그림 36전체 항목·쪽은 MCP 로 →