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PartsPlan AIPartsPlan AI
STMicroelectronics STB120N4LF6
수집 데이터Discrete Semiconductors

STMicroelectronics

STB120N4LF6

mosfet

STB120N4LF6부터 회로 전체까지, AI에게 물어보세요

Claude·ChatGPT 같은 AI에 PartsPlan을 한 번 연결하면, 이 부품만이 아니라 BOM·회로도에 든 부품 전부를 제조사 데이터시트 원문에서 찾아 문서와 쪽 번호까지 답합니다.

예: “PartsPlan으로 내 BOM 전체 데이터시트를 확인하고, STB120N4LF6의 정격과 패키지 치수는 근거 쪽과 함께 알려 줘”

무료 월 300회 · 카드 등록 없음

주요 스펙 요약(31)

Continuous Drain Current Id
80A
Drain Source On Resistance Max
4MΩ
Drain To Source Breakdown Voltage
40V
Drain To Source Resistance
4mΩ
Drain To Source Voltage Vdss
40V
Fall Time
45ns
Gate To Source Voltage Vgs
20V
height
4.6mm
Input Capacitance
4.3nF
Lead Free
Lead Free
length
10.75mm
Max Power Dissipation
110W
Mount Type
Surface Mount
Operating Temperature Max
175°C
Operating Temperature Min
-55°C
Package Case
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Lifecycle Status
Active
package
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Package Quantity
1
Packing Style
Tape and Reel
polarity
N-CHANNEL
Power Dissipation
110W
Radiation Hardening
No
Rds On Max
4mΩ
Reach Compliant
No
Rohs Compliant
Yes
series
DeepGATE™, STripFET™ VI
Threshold Voltage
1V
Turn Off Delay Time
125ns
Turn On Delay Time
15ns
width
10.4mm

이 데이터시트의 항목별 쪽

로그인하면 항목마다 원문 PDF 쪽 번호가 보입니다. 로그인

특징
쪽 1개
절대 최대 정격
쪽 1개
전기적 특성
쪽 2개
열 특성
쪽 1개
패키지 도면
쪽 6개
STMicroelectronics 데이터시트 · 총 18쪽 · 절 29 · 표 14 · 그림 25전체 항목·쪽은 MCP 로 →