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PartsPlan AIPartsPlan AI
STMicroelectronics IRF630
수집 데이터Discrete Semiconductors

STMicroelectronics

IRF630

mosfet

IRF630부터 회로 전체까지, AI에게 물어보세요

Claude·ChatGPT 같은 AI에 PartsPlan을 한 번 연결하면, 이 부품만이 아니라 BOM·회로도에 든 부품 전부를 제조사 데이터시트 원문에서 찾아 문서와 쪽 번호까지 답합니다.

예: “PartsPlan으로 내 BOM 전체 데이터시트를 확인하고, IRF630의 정격과 패키지 치수는 근거 쪽과 함께 알려 줘”

무료 월 300회 · 카드 등록 없음

주요 스펙 요약(36)

Continuous Drain Current Id
9A
Drain To Source Breakdown Voltage
200V
Drain To Source Resistance
400mΩ
Drain To Source Voltage Vdss
200V
Dual Supply Voltage
200V
Gate To Source Voltage Vgs
20V
height
9.15mm
Input Capacitance
700pF
Lead Free
Lead Free
Lead Pitch
2.54mm
length
10.4mm
Operating Temperature Max
150°C
Operating Temperature Min
-65°C
Package Case
TO-220
Contact Current Rating
9A
Drain Source On Resistance Max
400mΩ
Lifecycle Status
Volume Production
Max Power Dissipation
75W
Mount Type
Through Hole
Nominal Vgs
3V
Number Of Elements
1
On State Resistance
400mΩ
Package Quantity
1000
Packing Style
Rail/Tube
polarity
N-CHANNEL
Power Dissipation
75W
Radiation Hardening
No
Rds On Max
400mΩ
Reach Compliant
No
Reverse Recovery Time
170ns
Rohs Compliant
Yes
series
MESH OVERLAY™ II
Threshold Voltage
3V
Turn On Delay Time
10ns
Contact Voltage Rating Dc
200V
width
4.6mm

이 데이터시트의 항목별 쪽

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절대 최대 정격
쪽 1개
전기적 특성
쪽 2개
열 특성
쪽 1개
패키지 도면
쪽 2개
STMicroelectronics 데이터시트 · 총 14쪽 · 절 26 · 표 11 · 그림 23전체 항목·쪽은 MCP 로 →