STMicroelectronics

2N6059

제조사가 낸 원문 데이터시트(PDF)를 보관하고 있습니다. 이 품번은 부품 목록 정보(스펙 요약 등) 없이 원문만 있습니다 — 값과 적용 여부는 원문 쪽에서 확인하세요.

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데이터시트 1쪽 발췌

2N6059

SILICON NPN POWER DARLINGTON TRANSISTOR

I STMicrolectronics PREFERRED

SALESTYPE

I HIGH GAIN

Obsolete Product(s) - Obsolete Product(s)

I NPN DARLINGTON

I HIGH CURRENT

I HIGH DISSIPATION

I INTEGRATED ANTIPARALLEL

COLLECTOR-EMITTER DIODE

1 2

APPLICATIONS

I LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIAL

EQUIPMENT

TO-3

DESCRIPTION The 2N6059 is a silicon Epitaxial-Base NPN transistor in monolithic Darlington configuration mounted in Jedec TO-3 metal case. It is inteded for use in power linear and low frequency switching applications. INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

R1 Typ. = 6 KΩ R2 Typ. = 55 Ω

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

ICM Collector Peak Current (tp < 5 ms) 20 A

Ptot Total Dissipation at Tc ≤ 25 oC 150 W

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February 2003

제조사 원문 1쪽의 글자입니다(표·품번 목록은 뺐습니다). 값과 조건은 원문 쪽에서 확인하세요.

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