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수집 데이터MOSFETs

Renesas Electronics

NE5550779A-T1A-A

mosfet

NE5550779A-T1A-A부터 회로 전체까지, AI에게 물어보세요

Claude·ChatGPT 같은 AI에 PartsPlan을 한 번 연결하면, 이 부품만이 아니라 BOM·회로도에 든 부품 전부를 제조사 데이터시트 원문에서 찾아 문서와 쪽 번호까지 답합니다.

예: “내 BOM 전체 데이터시트를 확인하고, NE5550779A-T1A-A의 정격과 패키지 치수는 근거 쪽과 함께 알려 줘”

무료 월 300회 · 카드 등록 없음

주요 스펙 요약(5)

Current Continuous Drain Id
2.1A
Drain To Source Voltage
30V
Gate Threshold Voltage Vgs Th
2.25V
package
-
Pd Power Dissipation
17.8W

이 데이터시트의 항목별 쪽

로그인하면 항목마다 원문 PDF 쪽 번호가 보입니다. 로그인

특징
쪽 1개
절대 최대 정격
쪽 1개
전기적 특성
쪽 1개
패키지 도면
쪽 1개
주문 정보
쪽 1개
Renesas Electronics 데이터시트 · 총 17쪽 · 절 29 · 표 9 · 그림 16전체 항목·쪽은 MCP 로 →