結果是使用者的 AI 讀取 PartsPlan 回傳的原文頁面後，自行計算與判斷所得。頁碼即為證據；規格書以外的假設會標示在各卡片上。
提問“我用 TPS563200 做 12 V→5 V 2 A 的降壓電路。請檢查 BOM 中的額定值裕度。”
電壓與電流裕度充足 (建議輸入 4.5–17 V，第 5 頁；限流最小 3.5 A，第 7 頁)。容許電流對環境溫度曲線 (第 11 頁，圖 6-16，5 V 輸出) 顯示 70 °C 時為 2.56 A、85 °C 時為 1.86 A，因此環境溫度超過約 82 °C (曲線與 2 A 交會處) 後，無法連續輸出 2 A。
TI TPS563200 · MCP 呼叫 6
提問“我用 3.3 V MCU 驅動 5 V 的 G5LE 繼電器。85 °C 時還能吸合嗎？”
AI 的判斷依據「動作電壓 75 %」是以線圈 23 °C 為條件規定的 (第 3 頁，COIL DATA 註 1)。在 85 °C 時，所需電壓升至 4.66 V：NPN 驅動 (線圈上 4.45 V) 超出保證範圍 (−0.21 V)，MOSFET 驅動 (4.73 V) 僅剩 0.07 V。
規格書以外的假設: 銅的溫度係數 0.393 %/°C · 電源 5 V −5 % · NPN VCE(sat) 0.3 V · MOSFET 壓降 0.02 V
Omron G5LE-1 DC5 · MCP 呼叫 4
提問“我在環境溫度 50 °C 下以 DRV8833 驅動 1 A 的直流馬達。請檢查感測電阻與發熱。”
0.13 Ω 感測電阻 → 限流 1.23–1.85 A (VTRIP 160–240 mV，第 6–7 頁)。以 1 A 運轉時 Tj 為 75 °C，但堵轉時即使是 PowerPAD 封裝也會達到 Tj 133 °C，接近過熱關斷 (最小 150 °C)。1.5 A 的建議連續電流僅針對 RTY 封裝列出 (第 5 頁)。
使用的數值: RDS(on) 高側 + 低側 600 mΩ (85 °C 最大值，第 6 頁) · RθJA 40.5 °C/W (PowerPAD 封裝，第 5 頁，JEDEC 板) · 環境溫度 50 °C
TI DRV8833 · MCP 呼叫 7
提問“LM317 消耗 7 W。需要多高的 Ohmite FA-T220 散熱片？”
表格中的自然對流熱阻是在約 20 W 時成立 (與同頁圖表的 20 W 點相符)，因此在 7 W 時會低估溫升 37–50 %。讀取圖表 (第 1 頁)，7 W 時的溫升為 1″ 45 °C、2″ 33 °C、2.5″ 30 °C；據此，1″ 的 Tj 為 128 °C，高於建議的 125 °C (LM317，第 5 頁)，2.5″ 則為 113 °C。
規格書以外的假設: 環境溫度 50 °C · 介面熱阻 0.5 °C/W · LM317 接面至外殼 4.2 °C/W (TO-220 KCT 的數值 — KCS 列的 0.1 °C/W 存疑，因此採用保守值)
Ohmite FA-T220 + TI LM317 · MCP 呼叫 7
提問“PT 1,5 端子台每極通過 8 A — 可以用到幾度？”
讀取降額圖 (第 5 頁，5 極)：約 66 °C 以前為 17.5 A，之後 80 °C 時 13 A、85 °C 時 11 A、90 °C 時 8.5 A、100 °C 時 0 A。8 A 在 85 °C 以前有 1.4 倍裕度，90 °C 時已很吃緊，95 °C 時超出上限 (5.5 A)。額定值也因認證而異 (CCA 24 A、UL 18/10 A、SEV 16 A；第 4–5 頁)。
Phoenix Contact PT 1,5/2-5,0-H (1935161) · MCP 呼叫 3
提問“在 −40 至 85 °C 範圍內，將 REF5025 用作 16 位元 ADC 的參考電壓 — 實際精度是多少？”
加總電氣特性 (第 6 頁，7.5)：High 等級最差情況 1,099 ppm = 72 LSB (有效位元 9.8)，經室溫單點校正後為 599 ppm (10.7 位元)。溫度漂移 (375 ppm) 在校正後仍是最大項，長期穩定性與熱遲滯 (合計 170 ppm，標準等級為 190 ppm) 無法透過校正消除。
規格書以外的假設: 輸入變動 0.5 V · 負載變動 1 mA · 遲滯與長期穩定性採典型值
TI REF5025 · MCP 呼叫 4
提問“依 TLC555 的接腳表製作 KiCad 符號，並與預設元件庫比對接腳類型。”
規格書接腳表 (第 3 頁) 中 CONT 為輸入、DISCH 為開集極輸出。KiCad 9 預設的 TLC555xD 將 CONT 定義為 open_collector、DISCH 定義為 input — 兩者對調 (接腳編號 8/8 相符)。同一元件庫中 29 個 555 系列符號也將 DISCH 定義為 input。
TI TLC555 · MCP 呼叫 4
提問“ESP32 能直接驅動 5 V 的 74HC04 嗎？”
AI 的判斷依據比對 DC 特性表 (ESP32 模組第 27 頁表 14、74HC04 第 5 頁、74HCT04 第 6 頁表 6)：74HC04 的高位準裕度為 −0.51 V，不可行；74HCT04 為 +0.64 / +0.47 V，可行。反方向 (5 V 輸出 → ESP32) 不可行：最小輸出 4.4 V 超過 3.6 V 的輸入最大值。
Espressif ESP32-WROOM-32E · Nexperia 74HC04 / 74HCT04 · MCP 呼叫 5
提問“INA219、BME280、DS3231、MPU-6050 與 PCA9685 能共用一條 I²C 匯流排嗎？”
使用預設位址時有兩處衝突 (0x68 DS3231↔MPU-6050、0x40 INA219↔PCA9685)，可透過 MPU-6050 AD0 = 1 (第 15 頁) 與 PCA9685 A0 = 1 (第 8 頁，圖 4) 解決。PCA9685 啟動時 LED All Call 位址即為啟用狀態，因此匯流排上任何地方都不得使用 0x70 (第 8 頁)。
TI INA219 · Bosch BME280 · Maxim Integrated DS3231 · InvenSense MPU-6050 · NXP PCA9685 · MCP 呼叫 12
提問“以 CSD18540Q5B 做 12 V 熱插拔 — 湧入電流與短路故障是否在 SOA 內？”
AI 的判斷依據SOA 圖 (第 6 頁，圖 10，外殼 25 °C) 顯示在 12 V 時，10 ms 為 22.1 A、1 ms 為 66.3 A。2200 µF 的湧入電流 (10 ms 斜升，2.64 A) 有 8.4 倍裕度，但在 30 A 短路時，10 ms 的故障計時器超出 SOA (0.74 倍)；外殼 85 °C 時，計時器須在 1.8 ms 以下。
規格書以外的假設: 外殼 85 °C 時，容許功率依剩餘的溫度餘裕 (175 − 85)/(175 − 25) = 0.6 等比縮減 (規格書僅提供 25 °C 曲線；最大接面溫度 175 °C，第 1 頁) · 1 至 10 ms 之間以雙對數直線內插
TI CSD18540Q5B · MCP 呼叫 5
提問“請選一顆 TVS 來保護 USB 5 V 輸入上的 TP4056。”
AI 的判斷依據SMAJ6.0A — 正常工作時 5.5 V 下不導通 (截止電壓 6.0 V)，在額定 38.8 A 突波時為 10.3 V，低於 TP4056 的 12 V 絕對最大額定值 (SMAJ 表第 2 頁、TP4056 第 2 頁)。SMAJ5.0A 的截止電壓 5.0 V 低於 USB 最大值；SMAJ8.0A 的箝位電壓為 13.6 V，過高。
規格書以外的假設: USB 正常工作時最高 5.5 V
Littelfuse SMAJ · 南京拓微集成电路 (Top Power ASIC) TP4056 · MCP 呼叫 4
提問“STM32F103 搭配 ABLS 8 MHz 晶體 — 負載電容該用多少？”
依 STM32 振盪器表 (第 52 頁，表 24，gm 25 mA/V) 與 ABLS 規格 (第 1 頁：CL 18 pF、ESR 80 Ω、C0 7 pF)：負載電容 16 pF，振盪裕度 49.5 (ST 建議 ≥ 5)，驅動功率約 80 µW (最大 1 mW)。
規格書以外的假設: 雜散電容 10 pF (取 STM32 第 52 頁內文中的概略值；請在實際電路板上量測) — C = 2 × (18 − 10) · 驅動功率以晶體電流等於 HSE 驅動電流最大值 1 mA 估算
ST STM32F103C8T6 · Abracon ABLS · MCP 呼叫 5
提問“撰寫 INA219 的 I²C 驅動程式，並與規格書範例核對。”
依暫存器對照表 (第 18–24 頁) 與校正公式 (第 12 頁) 撰寫驅動程式；可重現規格書範例 (第 26 頁，表 8) — 組態 019Fh、校正 5000h、20 mV、11.98 V、10.0 A、119.8 W；測試 6/6。
TI INA219 · MCP 呼叫 9
提問“請為同一片板上的這顆 LED、晶體與 MLCC 設定回焊爐溫曲線。”
符合所有規格書限制的目標 — 峰值 245–255 °C (LED 最高 260 °C，以 255 °C 測試；MLCC 建議 240–260 °C；晶體最高 265 °C)，220 °C 以上 45–60 秒，預熱 150–180 °C 持續 60–120 秒，斜率 ≤ 5 °C/s (LED 第 3 與 7 頁、晶體第 2 頁、MLCC 第 15 頁)。晶體僅能承受 1 次回焊；LED 須在開封後 7 天內使用 (第 9 頁)。
做出的選擇: LED 的建議預熱溫度 (180–200 °C) 與其他元件僅在 180 °C 重疊；由於這是建議值而非限制，因此採用晶體與 MLCC 共同的較低範圍
深圳市永裕光电 GT-IRB1711S · Abracon ABLS · Murata GCE188 · MCP 呼叫 12
