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수집 데이터igbt

STMicroelectronics

STGB30NC60KT4

igbt

주요 스펙 요약(9)

Collector Emitter Breakdown Voltage Vces
600V
Gate Charge Qg
96nC
Gate Emitter Threshold Voltage Vge Th Ic
2.7V@15V,20A
Igbt Type
-
Operating Temperature
-55℃~+150℃@(Tj)
package
D2PAK
Pd Power Dissipation
185W
Td Off
120ns
Td On
29ns