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Toshiba RN1106MFV,L3F

Toshiba

RN1106MFV,L3F

mosfet

국내 재고 없음

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주요 스펙 요약(15)

collector_emitter_voltage_vceo
50V
current_collector_cutoff
100nA
current_collector_ic
100mA
dc_current_gain
80A
emitter_base_voltage_vebo
5V
input_resistor
4.7
input_voltage_vi_on_ic_vce
700mV@5mA,200mVV
number
1 NPN (Pre-Biased)
operating_temperature
-55℃~+150℃°C
package
SOT-723
pd_power_dissipation
150W
resistor_ratio
0.1
type
NPN
vce_saturation_vce_sat
300mV
voltage_input_max_vi_off
1.3V

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